磁场发生装置是用于半导体晶片的磁流变抛光设备中的核心装置,并且用于产生在抛光区域中具有特定分布的梯度磁场。磁场发生装置的性能在限制磁流变抛光设备的加工能力方面起着决定性的作用。在半导体晶片的磁流变平面抛光中,永磁体簇磁场发生器可以有效地考虑抛光效率和抛光质量。
介质中磁场分布的解析模型,分析了各个参数对磁场的影响。 在此基础上,研究磁场发生装置的参数优化问题,确定了最佳的设计参数和永磁极整理方法,最后完成磁场发生装置的设计与制造。
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磁场发生装置是用于半导体晶片的磁流变抛光设备中的核心装置,并且用于产生在抛光区域中具有特定分布的梯度磁场。磁场发生装置的性能在限制磁流变抛光设备的加工能力方面起着决定性的作用。在半导体晶片的磁流变平面抛光中,永磁体簇磁场发生器可以有效地考虑抛光效率和抛光质量。
介质中磁场分布的解析模型,分析了各个参数对磁场的影响。 在此基础上,研究磁场发生装置的参数优化问题,确定了最佳的设计参数和永磁极整理方法,最后完成磁场发生装置的设计与制造。