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查看产品WDS系列电磁铁
●双极电磁铁，在两极间产生均匀或梯度磁场。
●磁场气隙双侧可调，可更换不同规格极头。
●空间开放，适用于大部分科学实验。 -
查看产品一维亥姆霍兹线圈
●一维亥姆霍兹线圈由两个相同的圆形线圈以特定的位置关系构成，是最为经典的磁场发生装置。
●一维亥姆霍兹线圈可以产生空间内单一方向的均匀磁场。
●主要用于实验室和磁环境研究中需要稳定均匀磁场的应用。 -
查看产品螺线管线圈
●螺线管线圈是一种高效的电磁装置，由优质导线绕成紧密的螺旋形状，能够在通电时产生均匀的磁场。
●螺线管线圈应用范围广、结构简单可靠，适用于在有限空间内产生更强的磁场。 -
查看产品标准永磁体
产品简介
标准永磁体是一种专门设计用于校准高斯计的永磁装置，其采用高性能稀土材料制造，广泛应用于各种需要精确磁场校准的领域，如实验室、计量部门和工业检测设备。
YC40系列标准磁体，体积小重量轻，适合标定0.1%~1%精度的霍尔传感器，常规磁场等级0.05T~1.1T阶段可选，现货供应；最高磁场可达3.0T。 -
查看产品振动样品磁强计
产品简介
振动样品磁强计是一种用于测量材料磁性能的仪器，可用于材料研究和开发、质量控制及产品检测，完成对磁性材料的基本磁性能的测量和分析。可测量磁性材料的基本磁性能（如磁化曲线，磁滞回线，退磁曲线，升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、设定温度下的磁化曲线、设定温度下的磁滞回线等），得到相应的各种磁学参数（如饱和磁化强度，剩余磁化 强度，矫顽力，最大磁能积，居里温度，磁导率、初始磁导率等），可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料。可原位测量磁性材料从室温至 800 度以及室温至液氮温区磁性能随温度的变化曲线 -
查看产品YP系列直流电源
产品简介
本电源为准双极性直流电源（可换向但有延迟），具有高准确度、高线性度、高稳定度、低纹波噪声等特点， 微处理器控制的继电器换向方式、5种可选延迟时间、 换向电流冲击小于1mA、I、I-III、I-III-I象限三种线性扫描模式、 标准配备内部USB转换接口、完备的计算机接口命令集 触发输出同步功能、扫描过程中的定时连续触发输出功能。 -
查看产品B-H磁滞回线实验仪
产品简介
B-H实验仪，全称静态磁特性（磁滞回线）测试仪，是用于测量软磁材料（如硅钢、铁氧体等）在直流或缓慢变化磁场下磁化特性的仪器。它主要绘制磁滞回线（B-H曲线），获取饱和磁感应强度、剩磁、矫顽力、磁导率等关键参数，评估材料磁性能。 -
查看产品高斯计
产品简介
高斯计/特斯拉计适合要求高测试精度,高分辨率的磁场测试应用。测量范围从直流到50KHZ的交流磁场。自动较零，自动量程。保持模式可选极大值，极小值，峰值和谷值。仪表可同时测量和显示6种参数。测量单位可选高斯，毫特斯拉，A/M或Oe。
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核磁共振永磁体
核磁共振NMR系列磁铁，是一种高均匀性的永磁铁结构，其加工精度高，稳定性好，磁场均匀程度高，均匀区内均匀度在10-4~10-5量级。
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居里温度实验仪
居里温度实验仪用于测定铁磁材料在升温过程中由铁磁性转变为顺磁性的临界温度值（居里点）。通过监测磁导率突变或磁滞回线消失现象，表征材料的热磁特性，适用于磁性材料研究与教学实验。
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WDS系列电磁铁
WDS系列电磁铁是一款单轭（C型结构）双侧可调气隙磁场发生装置。在励磁电源的激励下，磁场形成闭合回路，两极之间可以产生均匀的强磁场，磁场方向沿极头轴向。所有型号标配可更换纯铁极头，可以通过更换极头以适应不同实验要求。纯铁结构有利于线包散热，同时也可选配水冷装置延长工作时间。
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YC系列永磁体
YC系列恒定磁场永久磁铁具有无需电源供电，节能，长时间使用性能稳定，体积小，重量轻等特性。固定的气隙使之拥有良好的刚性，能够在两个磁极间产生稳定、均匀的磁场。可长期保持其优异的磁性能，广泛应用于各种磁性研究、磁化应用的领域。
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SBV系列电磁铁
SBV系列电磁铁是一款双轭（H型结构）双侧可调气隙磁场发生装置。在励磁电源的激励下，磁场形成闭合回路，两极之间可以产生均匀的强磁场，磁场方向沿极头轴向。所有型号标配可更换纯铁极头，可以通过更换极头以适应不同实验要求。纯铁结构有利于线包散热，同时也可选配水冷装置延长工作时间。
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单极电磁铁
单极电磁铁是一种由单个极头构成的开放磁路电磁铁。这种电磁铁主要优势为结构开放、操作空间大，在电流的激励下，在极头表面区域产生沿极头轴向的大小可控的磁场，纯铁结构有利于线包散热，同时也可选配水冷装置延长工作时间。
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工频磁场干扰线圈/探测线圈/发射线圈
我们接受各种形式的个性化定制产品需求。
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气体放电等离子体实验仪
气体放电等离子体实验仪利用高电压在低压气体中激发辉光放电，产生并观测等离子体。通过调节电压、气压，研究放电特性（如击穿电压、放电电流）、等离子体发光现象及光谱，用于等离子体物理基础教学与演示。
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霍尔效应实验仪
霍尔效应实验仪用于观测载流导体在磁场中产生的横向电势差（霍尔电压），测定载流子类型（N/P型）、浓度及磁场强度。通过电流、磁场与电压关系验证霍尔效应，是半导体研究和磁测量的基础设备。
